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FIB原理

 Focused Ion Beam Basics (FIB) 原理

• 利用液态镓金属(Liquid metal , Gallium)做为离子源,并且加以0~5万伏特的电场(filament)以形成电位差来加速正离子,中途经过电透镜(lenses)来达到电流密度控制及聚焦(focus)等作用,使离子朝待撞物行进以进行表面离子轰击(Ion bombardment) 来撞击芯片表面。

• 可以选择不同大小的孔径(Aperture)决定离子束强度,再利用Detector(MCP)接收二次电子(secondary electron)以成像,配合蚀刻或沉积气体达成线路修补的目的。

• 减少电路布局(Layout)以及光罩的修改,RD可透过FIB的Circuit Repair进而验证IC的Function

  此种方法可以增快产品上市时间(Time-to-market),增加公司收益,且节省产品开发的成本。

 

 

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